Matière: Anglais
Unitéd’enseignement:Transversale
Crédits :1
Coefficient:1
Objectifs de l’enseignement : Cette matière a pour objective d’inciter les étudiants de faire de l’Anglais une langue nécessaire pour un parcours plus loin de formation. Actuellement elle représente le langage scientifique mondial.
Contenu de la matière :
I- ECOUTER
I-1 comprendre des expressions est un vocabulaire très fréquent relatif à la vie courante, au travail, …
I-2 Saisir l’essentiel d’annonces et de messages clairs et simples.
II- LIRE
II-1 comprendre des textes courts et simples ;
II-2 trouver une information particulière dans des documents courants.
III- PRENDRE PART A UNE CONVERSATION
III-1 communiquer lors de tâches simples et habituelles : se présenter, faire une présentation simple, transmettre des informations - vécues, …
IV S’EXPRIMER ORALEMENT EN CONTINU
IV-1 décrire en termes simples les conditions de vie, la formation suivie, un travail réalisé, résumer un document.
V- ECRIRE
V-1 écrire des notes et des messages, une lettre, …
Mode d’évaluation : 50% Continu, 50% examen.
Références :
Dictionnaires techniques, polycopiés et travail sur articles
Matière: Modélisation et Simulation
Unitéd’enseignement:Méthodologique
Crédits :4
Coefficient:2
Objectifs de l’enseignement :Ce module traite certaines méthodes numériques appliquées à la physique.
Contenu de la matière :
I- Rappels des ensembles statistiques :Introduction de l'intégrale de configuration
II- Méthode de Monté Carlo (Métropolis)
III- Méthode dynamique moléculaire et comparaison des deux méthodes.
IV- Modélisation des interactions entre atomes
V- Calcul des propriétés physiques :chaleur spécifique, fonction de distribution radiale, paramètre d'ordre, coefficient de diffusion.
Mode d’évaluation :50% Continu, 50% examen.
References :
1- Jaan Kiusalaas ‘Numerical methods in engineering with Matlab’ Cambridge University press. 2005.
2- John H. Mathews, Kurtis D. Fink ‘Numerical methods using Matlab’ third edition. Prentice Hall 1999.
4- Jean Philips Grivet ‘Analyse numérique pour les sciences physiques’ Université d’Orléans 2005
5- Timothy A. Davis, Kermit Sigmon ‘Matlab Primer’ Seventh Edition, Chapman et Hall/CRC 2005.
Matière:Optique et lasers Unitéd’enseignement:Fondamentale Crédits :6 Coefficient:3 Objectifs de l’enseignement :Ce module se propose d'une part, d'exposer les fondements théoriques nécessaires à la compréhension des phénomènes mis en jeu dans les composants optoélectroniques et, d'autre part, de présenter la structure, le fonctionnement, les modes de réalisation et d'utilisation des principaux composants de l'industrie. Contenu de la matière : I- Physique de l'émission laser: I-1 Emission stimulée- Gain- Seuil- Puissance émise I-2 Fonctionnement dynamique des lasers I-3 Types de laser: Gaz-Solides-Vibroniques-Semi-conducteurs II-Physique des diodes laser III- Physique des semi-conducteurs III-V. VI-1 dispersion et propagation d'impulsions lumineuses VI-2 Capteurs à fibres optiques. VIII- Techniques de microscopie et d'imagerie: Microscopie confocale-Epimicroscopie- Méthodes interférométriques-Imagerie en milieu diffusant. IX-Applications des lasers; Recherche fondamental-médecine-Métrologie. Mode d’évaluation : 30% Continu, 70% examen. Références : 1- Cours et exercices corrigés : ROSENCHER Emmanuel, ROLDAN VIORIA José. |
Matière: Electrochimie
Unitéd’enseignement:Fondamentale
Crédits :6
Coefficient:3
Objectifs de l’enseignement :Ce module est essentiel pour les physiciens afin qu’il s comprennent plus la création de porteurs de charges libres dans les composés et l’énergie dégagée pour leur création. L’interface entre deux couches peut être représentée par un circuit électrique équivalent qui fournie un aperçu sur les états de surface des deux couches en contact.
Contenu de la matière :
I-Définitions et Concepts :
I-1 Aspects thermodynamiques fondamentaux
I-2 Electrodes, Cellule, Potentiel et son origine, Courant Anodique, Courant Cathodique, Courant d’échange, Loi de Faraday, Surtension et Polarisation. Potentiel de Membrane, Potentiel de Donan.
I-3 Double couche électrique et électrochimique, Modèles (de Helmholtz, de Gouy-Chapmann, de Stern), Courant direct, courant alternatif, diagramme d’impédance et circuit électrique équivalent.
I-4 Diagramme de Pourbaix : Etablissement du diagramme et interprétation, Diagramme tension-pH
II- Cinétique électrochimique :
II-1 Transport ionique et diffusion moléculaire
II-2 Equilibre Métal/Solution,
II-3 Transfert de masse : différents modes de transport (migration, diffusion, convection)
et surtension de diffusion.
II-6 Tracé des courbes I-E (système rapide, système linéaire, acier inoxydable)
III- Piles électrochimiques :Galvanique, de concentration, d’aération différentielle
IV- Diagrammes d’Evans : Contrôles (anodique, cathodique, mixte, de résistance)
VI- Spectroscopie d’Impédance Electrochimique « SIE » :
Lois physiques, concepts mathématiques, Diagrammes de Nyquist et de Bode, transfert de charge, diffusion, induction
VI- Travaux pratiques :
- Tracé des courbes de polarisation en dynamique et en statique
- Calcul de la résistance de polarisation
- Tracé des droites de Tafel
- Diagrammes d’impédance
Mode d’évaluation :30% Continu, 70% examen
Références :
1- Electrochemistry at metal and semiconductors electrodes, by Norio.Sato, Elsevier, 1998.
2- Electrochemical methods, by A.J.Bord and L.Faulkner, Wiley, 2001.
3- Chimie physique, by G.M Barrow, Masson, 1975.
Matière:Hétérojonctions
Unitéd’enseignement:Fondamentale
Crédits :6
Coefficient:3
Objectifs de l’enseignement : La structure des semi-conductrice très importante.par le choix et le taux de dopage .Par ce procédé on peut changer les propriétés optoélectroniques des matériaux. L’application des semi-conducteurs dans circuits électroniques exige l’étude des interfaces entre un métal et un semi-conducteur et la jonction entre semi-conducteurs
Contenu de la matière :
IV.1. Electroluminescent
IV.2. Photovoltaïques
IV.3. Photoconducteurs
IV.4. Lasers à semi-conducteurs
Mode d’évaluation : 30% Continu, 70% examen.
Références :
1- Physics of semiconductors devices, by J.P.Colinge, Kluwer
2- Physics of semiconductors devices, by S.M.Sze, Wiley, 2007.
3- Semiconductor opto-electronic devices, by J.Piprek, 2003.
4- Impurities in semiconductors, by V.I.Fistal, CRC press, 2004.
5- Materials sciences in microelectronicsI, by E.S.Machlin, Elsevier, 2005.
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